Oprema

Kombinirani sistem, specifično zasnovan za razvojne potrebe UL FE, in omogoča integracijo dveh specializirani reakcijski komori – eno za PECVD (plazemsko izboljšano kemijsko naparjanje) in drugo za ICP-RIE (induktivno sklopljeno plazemsko reaktivno ionsko jedkanje) v sklopu mikrofabriciranja. Medtem ko komori delujeta neodvisno, si pa lahko delijo določene komponente za povečanje učinkovitosti in zmanjšanje skupnih stroškov. Ta prilagojena konfiguracija obenem podpira neprekinjeno delovanje in zagotavlja visoko zmogljivost v različnih tehnoloških procesih.

Komora namenjena specifični tankoplastni depoziciji željenih materialov je posebej zasnovana za kemično naparjeno nanašanje s plazmo (PECVD), ki trenutno proizvaja visokokakovostne tanke plasti na osnovi silanove kemije, kot so SiO₂, Si₃N₄ in a-Si:H na polprevodniških rezinah. Postopek uporablja plazmo za izboljšanje kemičnih reakcij na površini substrata, kar omogoča nanašanje pri nižjih temperaturah kot tradicionalni termični CVD. Plazma se ustvarja med elektrodami, ki jih napaja RF, procesni plini, kot sta SiH₄ in N₂O, pa se uvedejo prek plinske prhe, kar zagotavlja enakomerno porazdelitev za dosledno nanašanje. Aktivirane molekule plina reagirajo na segretem substratu in tvorijo tanke filme, kot je SiO₂, hkrati pa zmanjšajo onesnaženje. Izotermna zasnova komore z vročo steno zagotavlja enakomerno segrevanje, zmanjšanje temperaturnih gradientov in napetosti filma, medtem ko sistem z dvojnim črpanjem ohranja čiste pogoje obdelave. Sistem za zaznavanje končne točke spremlja debelino filma v realnem času in avtomatizira nadzor procesa. In-situ plazemsko čiščenje z oksidativnimi in fluorirani plini odstrani ostanke depozicije in omogoča kontinuirano vzdrževanje. Ta inovativna zasnova zagotavlja enotnost, natančen nadzor in zanesljivo delovanje za izdelavo tankih filmov.

Komora za jedkanje kombiniranega sistema po meri je zasnovana za jedkanje z reaktivnimi ioni z induktivno sklopljeno plazmo (ICP-RIE), vsestranski postopek, ki se uporablja za natančno jedkanje materiala na polprevodniških rezinah. Ta komora podpira široko paleto materialov, vključno s polprevodniki, kovinami in trdimi materiali, z naprednim nadzorom nad profili jedkanja in lastnostmi površine. Postopek deluje z ustvarjanjem plazme visoke gostote v kvarčni cevi z uporabo helikoidne antene, ki jo napaja 2 MHz RF generator. Plazma je induktivno sklopljena, kar zagotavlja minimalno kapacitivno sklopitev za konstantno gostoto plazme in nizko energijo ionov. Reaktivni plini, kot so SF₆, Cl₂ ali CHF3, se vnesejo v komoro skozi sistem za distribucijo plina, s čimer se doseže enakomeren pretok plina čez substrat. Substrat je nameščen na elektrodi z nadzorovano temperaturo, ki služi tudi kot prednapetostma elektroda. Z uporabo dodatne RF prednapetosti se ioni pospešijo proti površini substrata, kar omogoča anizotropno jedkanje. Komora za jedkanje dodatno integrira zaznavanje končne točke s pomočjo kamere CCD z laserskim sistemom za spremljanje globine in enakomernosti jedkanja v realnem času. To zagotavlja natančen zaključek procesa, izboljšano natančnost in ponovljivost. Sistem z dvojnim črpanjem, ki ga sestavljata turbomolekularna črpalka in suha črpalka, vzdržuje pogoje visokega vakuuma in zmanjšuje kontaminacijo. Plazemsko čiščenje na kraju samem s kemikalijami na osnovi fluora in kisika odstrani polimerne ostanke in prepreči navzkrižno kontaminacijo med procesi.

Cena najema po dogovoru.

Aktivni sistem za detekcijo semi plinov

Raziskovalna dejavnost LMFE laboratorija temelji tudi na tehnološkem proizvodnji polprevodniških rezin s tehnikami mikroobdelave, katere pa v večini za svoje delovanje uporabljajo nevarne pline, kot poglavitne substrate tekom plazemske reakcije. Proizvodnja polprevodnikov zato zahteva zanesljive varnostne rešitve za zmanjšanje tveganj, ki jih predstavljajo tudi nevarni plini, ki se uporabljajo v posameznih proizvodnih procesih. Aktivni sistem za detekcijo SEMI plinov je napreden avtomatiziran sistem za zaznavanje plina, ki združuje izbranemu plinu specifičen enokanalni detektor plina serije PS-7, opremljen z zamenljivim plinu specifičnim senzorjem ter centralni krmilnik ePACT namenjen vizualizaciji delovanja vseh detektorjev s senzorji in njihovem trenutnem operativnem stanju.

Detektor plina serije PS-7 zagotavlja zelo natančno zaznavanje morebitno prisotnih strupenih in vnetljivih plinov v realnem času, tako da združuje visoko senzorsko občutljivost, kompaktno zasnovo primerno za čiste sobe in zaprte prostore za prilagodljive možnosti pri reševanju polemik pri uporabi strupenih plinov.

Krmilnik ePACT združuje več detektorjev, ki ponujajo centraliziran nadzor, intuitivno delovanje in razširljivost za prihodnje razširitve, kar omogoča opozorila v realnem času, kot tudi samo integracijo s sistemi za razvod ter distribucijo plinov. Ta inovativna zasnovana omogoča obvladovanje tveganj zaradi strupenih, vnetljivih in nevarnih plinov, kar je bistveno za zagotavljanje varnosti in skladnosti s predpisi tako, da ponuja zanesljivost, razširljivost in zmogljivost, prilagojeno naši proizvodnji.

Laserski konfokalni vrstični mikroskop – Olympus LEXT OLS3100

OLYMPUS LEXT OLS3100 je konfokalni mikroskop z laserskim skeniranjem visoke ločljivosti je primarno zasnovan za vsestransko mikroskopsko slikanje in natančno brezkontaktno 3D analizo površin, zato ga uporabljamo, kot zanesljivo znanstveno orodje za površinsko opazovanje, kvalitativno in kvantitativno ovrednotenje ter karakterizacijo procesnih vzorcev. Zagotavlja natančne meritve površinske hrapavosti, višine izbranih stopnic in tekstur s submikronsko natančnostjo.

Z uporabo konfokalne tehnologije laserskega skeniranja deluje mikroskop tako, da fokusira laserski žarek na določeno točko vzorca in selektivno zajame samo izostreno svetlobo z uporabo luknjičaste zaslonke, namenjene selektivnemu blokiranju neizostrene svetlobe nad in pod goriščno ravnino, s čimer zagotovi, da le svetloba iz območja izostritve doseže detektor. Tako z laserskim skeniranjem vzorca v rastrskem zaporedju ustvari 2D sliko, le-to pa lahko nato nadgradi s samodejnim prilagajanjem fokusa, pri čimer posname več sto plasti, katere pa nato vertikalno združi z zlaganjem ene na drugo in posledično poustvari 3D predstavitev zajete površine procesnega vzorca.

Poleg CLSM mikroskopiranja pa kombinirana uporaba polarizirane svetlobe in posebne prizme za cepitev svetlobnega žarka faznih premikov omogoča poudarjanje malenkostnih variacij v dolžini optične poti konfokalno diferencialne interferenčne kontrastne mikroskopske tehnike, namenjene za izdelavo slik visoke ločljivosti s poudarjenim kontrastom in boljšo percepcijo globine tako presevnih, kot tudi nizko kontrastnih vzorcev, dodatno ponuja natančno 3D vizualizacijo finih podrobnosti vzorca. Obe tehniki zagotavljata visoko ločljivo, ne destruktivno mikroskopsko slikanje, površinsko profiliranje ter analizo z natančnimi optičnimi možnostmi, zaradi česar je ta mikroskop idealen tako za aplikacije pri akademskemu razvoju, kot tudi pri rutinskih raziskavah, ter tudi v industrijski visoko tehnološki proizvodnji.

Glavne tehnične specifikacije:

•      Metode opazovanja: konfokalna laserska vrstična mikroskopija, mikroskopiranje v svetlem polju, diferencialna interferenčna kontrastna mikroskopija, konfokalna diferencialna interferenčna kontrastna mikroskopija
•      Osvetlitev: uporablja lasersko diodo 408 nm (razred 2) za konfokalno slikanje in belo LED za opazovanje v svetlem polju.
•      Objektivi: Opremljeni so s 5x, 10x, 20x, 50x in 100x objektivi, ki zagotavljajo skupno območje povečave od 120x do 14.400x.
•      Optični zoom: Vsebuje dodatno funkcijo optičnega zooma od 1x do 6x.
•      Vidno polje: sega od 2560 x 2560 µm pri manjših povečavah do 21 x 21 µm pri večjih povečavah.
•      Hod navpičnega giba Z-osi: je10 mm, z ločljivostjo 0,01 µm in ponovljivostjo 3σ = 0,04 + 0,002L µm (kjer je L izmerjena dolžina v µm).
•      Največja višina vzorca: sprejme vzorce do višine 100 mm.
•      Bočna ločljivost: doseže največjo stransko ločljivost 120 nm.
•      Aksialna ločljivost: Zagotavlja aksialno ločljivost do 10 nm.

Cena najema po dogovoru.

Poravnalnik mask – MA BA6

Poravnalnik mask MA BA6 Gen4 je sistem namenjen raziskovalnim ustanovam, univerzam in vzorčni proizvodnji. Poglavitni poudarek je na fleksibilnosti tako glede postopkov z valovnimi dolžinami 365 nm in 405 nm v 4 različnih načinih preslikave, od bližinske do vakuumske. Omogoča poravnavo na čelni ter tudi na hrbtni strani in uporabo UV NIL tehnike tiskanja in kot dodatno možnost, trenutno neizbrano poravnavo in spajanje rezin.

Poravnalnik omogoča delo v 4 standardnih načinih delovanja na 100 mm rezini z naslednjimi ločljivostmi:

• vakuumski kontakt – 0.7 um
• trdni kontakt – 1.0 um
• mehki kontakt – 2,0 um
• bližinska preslikava – 3 um pri 20 um oddaljenosti

Na čelni strani doseže natančnost poravnave 0,25 um na hrbtni 1 um.

Velikost okroglih substratov – rezin od premera 2″ do 150 mm, velikost kosov od 2″x 2″ do 6″ x 6″, velikost foto-litografskih mask 5″ x 5″ ali 6″ x 6″ debeline do 3.05 mm

Split field mikroskop z objektivoma 5 x 0,15 in digitalno povečavo na CCD kameri

Izvor LED LH UV400 omogoča osvetljevanje z visoko intenziteto 60 mW/cm2 in 2,5% uniformnostjo.